Verfahren zur Strukturierung eines Kontaktes und eines tiefen Grabens
EP1022771
Art A3
10. Dezember 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1022771
- Aktenzeichen
- EP00300027
- Anmeldetag
- 5. Januar 2000
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/033H01L21/28H01L21/311H01L21/308
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
9.753 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wheatley, Alison Clare
Bristol, Großbritannien
365
Patente gesamt
23
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Clarke, Alison Clare
NoneLondon
-
Chamberlain, Alan James
NoneBristol
-
Vigars, Christopher Ian
NoneLondon