Isolation eines flachen Grabens (STI) für VLSI-Anwendungen
EP1026734
Art B1
27. Juli 2011
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1026734
- Aktenzeichen
- EP00101726
- Anmeldetag
- 27. Januar 2000
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2011
- Erteilung
- 27. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG - Land
- 🇺🇸 USA
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Duscher, Reinhard
Ehningen, Deutschland
53
Patente gesamt
6
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Teufel, Fritz
NoneEhningen
-
Teufel, Fritz, Dipl.-Phys
NoneStuttgart