Verfahren zum Zerteilen eines Wafers und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP1026735
Art A3
2. Januar 2004
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1026735
- Aktenzeichen
- EP00102107
- Anmeldetag
- 3. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78H01L21/304B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München