Verfahren mit reduzierter Maskenzahl für die Herstellung von Mischsspannung-CMOS mit Hochleistung-Transistoren und -I/O Transistoren von hoher Zuverlässigkeit
EP1026738
Art B1
21. Juni 2006
Anmelder: Texas Instruments Incorporated, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1026738
- Aktenzeichen
- EP00300969
- Anmeldetag
- 8. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2006
- Erteilung
- 21. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Texas Instruments Incorporated
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Legg, Cyrus James Grahame
London, Großbritannien
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