Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
EP1028469
Art A3
15. April 2009
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1028469
- Aktenzeichen
- EP00102887
- Anmeldetag
- 11. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 15. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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