Herstellungsverfahren von einer Halbleitervorrichtung durch Dual-Damaszenen-Verfahren

EP1030361 Art A1 23. August 2000

Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1030361
Aktenzeichen: EP00103000
Anmeldetag: 14. Februar 2000
Veröffentlichung: 23. August 2000
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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