Verfahren zur Herstellung von Dualmetalgatter-Strukturen für CMOS Bauelemente
EP1032033
Art A3
12. Mai 2004
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1032033
- Aktenzeichen
- EP00103406
- Anmeldetag
- 24. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 12. Mai 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
3.600 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Degwert, Hartmut
München, Deutschland
318
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Schwepfinger, Karl-Heinz, Dipl.-Ing
NoneMünchen