Hochspannungsfestigkeit-MOS-Transistor und Verfahren zur Herstellung

EP1033760 Art A3 29. Oktober 2003

Anmelder: Sony Corporation, SONY CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1033760
Aktenzeichen: EP00103907
Anmeldetag: 24. Februar 2000
Veröffentlichung: 29. Oktober 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sony Corporation
SONY CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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