Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen dotierten Schicht mit Verbindungsteilen in einem Halbleiterbauelement

EP1035566 Art A3 4. Oktober 2000

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1035566
Aktenzeichen: EP00102941
Anmeldetag: 14. Februar 2000
Veröffentlichung: 4. Oktober 2000
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/266H01L21/74

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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