Halbleiterelement und Herstellungsverfahren dafür

EP1035583 Art B1 14. November 2007

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, EBARA CORPORATION, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1035583
Aktenzeichen
EP00104484
Anmeldetag
9. März 2000
Veröffentlichung
14. November 2007
Erteilung
14. November 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/532H01L23/485H01L21/60
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
EBARA CORPORATION
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Ebara

Japanischer Hersteller von Pumpen, Kompressoren und Umwelttechnik mit Sitz in Tokio, gegründet 1912.

373 Patente in unserer Datenbank

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