Herstellungsverfahren für ein aktives Gebiet und eine flache Grabenisolation selbstjustiert zu einem tiefen Graben
EP1037281
Art B1
3. August 2011
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1037281
- Aktenzeichen
- EP00103964
- Anmeldetag
- 25. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 3. August 2011
- Erteilung
- 3. August 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
9.753 Patente in unserer Datenbank
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Klein, Hans-Jörg
Ehningen, Deutschland
75
Patente gesamt
11
Fachgebiete
1
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Teufel, Fritz
NoneEhningen
-
Teufel, Fritz, Dipl.-Phys
NoneStuttgart