Source-Drainkontakten in MOS-Struktur und ihr Herstellungsverfahren

EP1039515 Art A3 27. April 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1039515
Aktenzeichen: EP00103846
Anmeldetag: 24. Februar 2000
Veröffentlichung: 27. April 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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