Verfahren zur Reduzierung topographieabhängigen Ladungseffekten in einem plasmaverstärkten Halbleiterbehandlungssystem
EP1041172
Art A3
4. Juli 2001
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1041172
- Aktenzeichen
- EP00106840
- Anmeldetag
- 30. März 2000
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/50H01J37/32H01L21/00H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Zimmermann, Gerd Heinrich
München, Deutschland
751
Patente gesamt
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