Verbindungsstruktur zwischen Leiterschichten und Herstellungsverfahren dafür

EP1041622 Art A1 4. Oktober 2000

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1041622
Aktenzeichen: EP00106863
Anmeldetag: 30. März 2000
Veröffentlichung: 4. Oktober 2000
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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