Isolationskragen aus einem Nitridbelag zur Verbesserung eines DRAM Herstellungsverfahrens

EP1041623 Art A3 11. April 2001

Anmelder: Infineon Technologies AG, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1041623
Aktenzeichen: EP00104798
Anmeldetag: 6. März 2000
Veröffentlichung: 11. April 2001
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Infineon Technologies AG
Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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