Herstellung von Hohlraum-Schmelzsicherungen über Gate-Leiterbahnen

EP1041629 Art A1 4. Oktober 2000

Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1041629
Aktenzeichen
EP00103967
Anmeldetag
25. Februar 2000
Veröffentlichung
4. Oktober 2000
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/525
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.088 Patente in unserer Datenbank

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.945 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen