Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einem Übergangsbereich bestehend aus einer einzelnen Atomschicht aus einem Erdalkalimetall, Silizium und Sauerstoff zwischen einem Siliziumsubstrat und einer monokristallinen Oxidschicht
EP1043426
Art A1
11. Oktober 2000
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., MOTOROLA, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1043426
- Aktenzeichen
- EP00106104
- Anmeldetag
- 21. März 2000
- Veröffentlichung
- 11. Oktober 2000
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/16H01L29/04C23C14/08C23C16/40C30B23/02C30B25/02H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Freescale Semiconductor, Inc.
MOTOROLA, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Motorola
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit historischem Sitz in Schaumburg, Illinois. Motorola war ein bedeutender Hersteller von Mobilfunkgeräten, Halbleitern und Kommunikationstechnik, bevor es in mehrere Nachfolgegesellschaften wie Motorola Solutions und Motorola Mobility aufgeteilt wurde.
3.541 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Wharmby, Martin Angus
NoneGif-sur-Yvette
-
Hudson, Peter David
NoneBasingstoke