Verfahren zur erhöhung der Ätzbeständigkeit von Photoresists

EP1045291 Art A3 10. Januar 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1045291
Aktenzeichen: EP00101348
Anmeldetag: 24. Januar 2000
Veröffentlichung: 10. Januar 2001
Rechtsraum: EP
IPC: G03F7/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies North America Corp.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

368 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von