Verfahren zur Herstellung eines Gruppe III-Nitrid-Verbindungshalbleitersubstrats

EP1045431 Art B1 27. August 2003

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., Matsushita Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1045431
Aktenzeichen: EP00107908
Anmeldetag: 13. April 2000
Veröffentlichung: 27. August 2003
Erteilung: 27. August 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L33/00H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Matsushita Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

36.518 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von