Gasphasenabscheidung von einer Pb5Ge3O11-Dünnschicht für ferroelektrische Anwendungen
EP1045435
Art A3
30. Oktober 2002
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1045435
- Aktenzeichen
- EP00303139
- Anmeldetag
- 13. April 2000
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/28H01L29/78H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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