TFT-Halbleiterbauelement and dessen Herstellungsmethode
EP1052700
Art A1
15. November 2000
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1052700
- Aktenzeichen
- EP00109971
- Anmeldetag
- 11. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 15. November 2000
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/20H01L21/336H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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