Zusammengesetzte Iridium-Barrierenstruktur mit begleitender Barriere aus einem oxidierten hochschmelzenden Metall und Herstellungsverfahren
EP1054440
Art A3
16. Oktober 2002
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1054440
- Aktenzeichen
- EP00304291
- Anmeldetag
- 22. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Jacob, Reuben Ellis
London, Großbritannien
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West, Alan Harry
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