MOSFET Halbleiterbauelement mit hochdotiertem Sperrgebiet
EP1054450
Art A3
7. Februar 2001
Anmelder: Hiroshima University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1054450
- Aktenzeichen
- EP00110666
- Anmeldetag
- 18. Mai 2000
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hiroshima University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hiroshima University
Die Hiroshima University ist eine staatliche japanische Universität mit breiter Forschung in Medizin, Pharmazie und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma- und Biotechnologie sowie Medizintechnik, ergänzt durch organische Chemie und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.
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