Verfahren zur Herstellung eines TFT

EP1054452 Art B1 25. Juni 2008

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1054452
Aktenzeichen: EP00110387
Anmeldetag: 15. Mai 2000
Veröffentlichung: 25. Juni 2008
Erteilung: 25. Juni 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L29/423H01L27/12H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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