Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode (IGBT) und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP1054511
Art A3
6. Februar 2002
Anmelder: DaimlerChrysler Rail Systems GmbH, DaimlerChrysler AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1054511
- Aktenzeichen
- EP00107525
- Anmeldetag
- 7. April 2000
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/082H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- DaimlerChrysler Rail Systems GmbH
DaimlerChrysler AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Daimler
Deutscher Automobilkonzern mit Sitz in Stuttgart, seit 2022 als Mercedes-Benz Group firmierend. Aktiv in Personenkraftwagen, Nutzfahrzeugen sowie Antriebs- und Fahrzeugsicherheitstechnik.
6.966 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Thielmann, Andreas
Düsseldorf, Deutschland
80
Patente gesamt
23
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Gmeiner, Christa, c/o DaimlerChrysler AG
Gmeiner, Christa, c/o DaimlerChrysler AG · Ulm