Laserbestrahlungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
EP1055479
Art B1
20. August 2008
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1055479
- Aktenzeichen
- EP00100676
- Anmeldetag
- 13. Januar 2000
- Veröffentlichung
- 20. August 2008
- Erteilung
- 20. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B23K26/06B23K26/073B23K26/067G02B27/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
4.187 Patente in unserer Datenbank