Simulationsmethode für den Durchbruch bei einer Impakt-Ionisierung

EP1056025 Art A3 28. November 2007

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1056025
Aktenzeichen: EP00110841
Anmeldetag: 22. Mai 2000
Veröffentlichung: 28. November 2007
Rechtsraum: EP
IPC: G06F17/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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