Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements mit wenigstens einem LDD-MOSFET und einem bipolaren Transistor

EP1058305 Art A2 6. Dezember 2000

Anmelder: Sony Corporation, SONY CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1058305
Aktenzeichen: EP00111398
Anmeldetag: 26. Mai 2000
Veröffentlichung: 6. Dezember 2000
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8249

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sony Corporation
SONY CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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