Siliciumnitridsinterkörper und Verfahren zum Herstellen desselben
EP1063211
Art B1
29. Januar 2003
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1063211
- Aktenzeichen
- EP00305226
- Anmeldetag
- 20. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2003
- Erteilung
- 29. Januar 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B35/593H01L21/48H01L23/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
3.021 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Paget, Hugh Charles Edward
London, Großbritannien
2.000
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19
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Schwerpunkte