Verfahren zur Erzeugung eines feinen Musters und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
EP1063568
Art B1
29. August 2007
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA, ASM JAPAN K.K., Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1063568
- Aktenzeichen
- EP00112783
- Anmeldetag
- 16. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 29. August 2007
- Erteilung
- 29. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/16H01L21/316G03F7/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
ASM JAPAN K.K.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
22.800 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hofer, Dorothea
München, Deutschland
1.039
Patente gesamt
29
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Prüfer, Lutz H., Dipl.-Phys
NoneMünchen