Verfahren zur Silizidbildung in einer Halbleitervorrichtung
EP1063686
Art A3
12. März 2003
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1063686
- Aktenzeichen
- EP00113411
- Anmeldetag
- 23. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 12. März 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Kirschner, Klaus Dieter
München, Deutschland
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