Randabschluss für ein Halbleiterbauelement, Schottky-Diode mit einem Randabschluss und Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode
EP1064684
Art A1
3. Januar 2001
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1064684
- Aktenzeichen
- EP00904821
- Anmeldetag
- 3. Januar 2000
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Schmuckermaier, Bernhard
München, Deutschland
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