Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung aus der Dampfphase eines III-V Nitridhalbleiters

EP1065299 Art A3 15. Februar 2006

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1065299
Aktenzeichen: EP00113814
Anmeldetag: 29. Juni 2000
Veröffentlichung: 15. Februar 2006
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40C30B25/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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