Transistor mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung
EP1067607
Art A3
6. August 2003
Anmelder: FUJI ELECTRIC CO. LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1067607
- Aktenzeichen
- EP00305417
- Anmeldetag
- 28. Juni 2000
- Veröffentlichung
- 6. August 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJI ELECTRIC CO. LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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Vertreten von
Bridge-Butler, Alan James
London, Großbritannien
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