Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung und Vorrichtung zum Herstellen einer Dünnschicht
EP1071117
Art B1
9. Oktober 2013
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1071117
- Aktenzeichen
- EP00115329
- Anmeldetag
- 14. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 9. Oktober 2013
- Erteilung
- 9. Oktober 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/67C23C14/56H01L51/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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