Verfahren zur Herstellung einer Oxid-Ummantelung in einem Graben in einem Halbleitersubstrat
EP1071121
Art A1
24. Januar 2001
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1071121
- Aktenzeichen
- EP00113999
- Anmeldetag
- 1. Juli 2000
- Veröffentlichung
- 24. Januar 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3105C09G1/04B24B1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
12.088 Patente in unserer Datenbank
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.945 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Teufel, Fritz
Ehningen, Deutschland
60
Patente gesamt
12
Fachgebiete
1
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Teufel, Fritz, Dipl.-Phys
NoneStuttgart