DRAM über einer zur kristallografischen Achse vertikal ausgerichteten Seitenwand und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1071129 Art A3 13. Juni 2001

Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1071129
Aktenzeichen
EP00306232
Anmeldetag
21. Juli 2000
Veröffentlichung
13. Juni 2001
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8242H01L27/108
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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