Grabenkondensator-DRAM-Zelle mit vertikalem Transistor
Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1077487
- Aktenzeichen
- EP00307018
- Anmeldetag
- 16. August 2000
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.
368 Patente in unserer Datenbank
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
12.078 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Vigars, Christopher Ian
NoneLondon