Grabenkondensator-DRAM-Zelle mit vertikalem Transistor
EP1077487
Art A3
19. Januar 2005
Anmelder: Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1077487
- Aktenzeichen
- EP00307018
- Anmeldetag
- 16. August 2000
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
Vertreten von
Chamberlain, Alan James
Bristol, Großbritannien
664
Patente gesamt
27
Fachgebiete
20
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Vigars, Christopher Ian
NoneLondon