Heteroübergang-Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung

EP1077494 Art B1 23. Juli 2008

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1077494
Aktenzeichen: EP00117816
Anmeldetag: 18. August 2000
Veröffentlichung: 23. Juli 2008
Erteilung: 23. Juli 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L21/331H01L23/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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