PN-Übergangsdiode aus Diamant und Methode zu deren Herstellung
EP1081747
Art B1
1. August 2007
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Independent Administrative Institution, Japan Science and Technology Corporation, Agency of Industrial Science and Technology of Ministry of International Trade and Industry 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1081747
- Aktenzeichen
- EP00307456
- Anmeldetag
- 30. August 2000
- Veröffentlichung
- 1. August 2007
- Erteilung
- 1. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L29/861H01S3/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Independent Administrative Institution
Japan Science and Technology Corporation
Agency of Industrial Science and Technology of Ministry of International Trade and Industry - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology
Japan Science and Technology ist eine japanische staatliche Einrichtung zur Förderung von Wissenschaft und Technologie, aus der später die Japan Science and Technology Agency hervorging. Das Patentportfolio deckt breit Pharma und Biotechnologie, organische Chemie sowie Mess- und Prüftechnik ab. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2005.
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