Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Schwebendem Gate
EP1082760
Art A1
14. März 2001
Anmelder: Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1082760
- Aktenzeichen
- EP00916865
- Anmeldetag
- 24. Februar 2000
- Veröffentlichung
- 14. März 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/28H01L29/788H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Koninklijke Philips Electronics N.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Fachgebiete
Vertreten von
Duijvestijn, Adrianus Johannes
Eindhoven, Niederlande
513
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