Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren

EP1087438 Art B1 23. März 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1087438
Aktenzeichen: EP00121021
Anmeldetag: 27. September 2000
Veröffentlichung: 23. März 2011
Erteilung: 23. März 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/77H01L27/12G02F1/1362

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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