Epitaktisches Sliziumwafer und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1088915
Art A1
4. April 2001
Anmelder: Naoetsudenshikogyo-Kabushikigaisha, Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Naoetsu Denshi Kogyo-Kabushiki Gaisha, Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1088915
- Aktenzeichen
- EP00906628
- Anmeldetag
- 2. März 2000
- Veröffentlichung
- 4. April 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/06C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Naoetsudenshikogyo-Kabushikigaisha
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Naoetsu Denshi Kogyo-Kabushiki Gaisha
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Merkle, Gebhard
München, Deutschland
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