Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gatter
EP1089344
Art A3
23. Juli 2003
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1089344
- Aktenzeichen
- EP00307920
- Anmeldetag
- 13. September 2000
- Veröffentlichung
- 23. Juli 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/51H01L21/28H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Vertreten von
Luckhurst, Anthony Henry William
London, Großbritannien
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