Herstellungsverfahren für unabhängig programmierbare Speicherabschnitte in isolierten N-Wannen innerhalb einer PMOS-EEPROM-Vorrichtung

EP1090425 Art B1 27. Juni 2012

Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1090425
Aktenzeichen
EP00918141
Anmeldetag
17. März 2000
Veröffentlichung
27. Juni 2012
Erteilung
27. Juni 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/115H01L21/8247G11C16/04// H01L27/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Microchip Technology

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.

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