Herstellungsverfahren für unabhängig programmierbare Speicherabschnitte in isolierten N-Wannen innerhalb einer PMOS-EEPROM-Vorrichtung

EP1090425 Art B1 27. Juni 2012

Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1090425
Aktenzeichen
EP00918141
Anmeldetag
17. März 2000
Veröffentlichung
27. Juni 2012
Erteilung
27. Juni 2012
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/115H01L21/8247G11C16/04// H01L27/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Grubert, Andreas München, Deutschland
875
Patente gesamt
31
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Medizintechnik & Gesundheit Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Halbleiter & Elektrische Bauelemente
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