Herstellungsverfahren für unabhängig programmierbare Speicherabschnitte in isolierten N-Wannen innerhalb einer PMOS-EEPROM-Vorrichtung
EP1090425
Art B1
27. Juni 2012
Anmelder: MICROCHIP TECHNOLOGY INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1090425
- Aktenzeichen
- EP00918141
- Anmeldetag
- 17. März 2000
- Veröffentlichung
- 27. Juni 2012
- Erteilung
- 27. Juni 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247G11C16/04// H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
1.426 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Grubert, Andreas
München, Deutschland
875
Patente gesamt
31
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Patry, Didier Marcel Pierre
NoneLondon