Eingabe/Ausgabe-Puffer mit Silizidschicht und Herstellungsverfahren

EP1091397 Art B1 21. März 2012

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1091397
Aktenzeichen: EP00121872
Anmeldetag: 6. Oktober 2000
Veröffentlichung: 21. März 2012
Erteilung: 21. März 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/335H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.362 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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