Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement mit Rundherum-Gate und dadurch hergestelltes Bauelement
EP1091417
Art A1
11. April 2001
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1091417
- Aktenzeichen
- EP00402754
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2000
- Veröffentlichung
- 11. April 2001
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
Dossmann, Gérard
München, Deutschland
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