Flachgraben-Isolationsstruktur für Bipolar-Transistoren

EP1094514 Art B1 29. August 2007

Anmelder: NEC Electronics Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1094514
Aktenzeichen: EP00122610
Anmeldetag: 17. Oktober 2000
Veröffentlichung: 29. August 2007
Erteilung: 29. August 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L29/06H01L21/8249H01L21/331H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Electronics Corporation
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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