Nichtflüchtiger Speicher und Steuerungsverfahren dafür
EP1096502
Art B1
29. Juni 2005
Anmelder: ROHM CO., LTD., Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1096502
- Aktenzeichen
- EP00122100
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2000
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2005
- Erteilung
- 29. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ROHM CO., LTD.
Rohm Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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Fachgebiete
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing
München, Deutschland
4.590
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34
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21
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TBK · München
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TBK-Patent · München