Halbleiterbauelement vom Typ SOI und dessen Herstellungsverfahren
EP1100126
Art A3
30. Juli 2003
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1100126
- Aktenzeichen
- EP00309880
- Anmeldetag
- 7. November 2000
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L29/86H01L27/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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